S3030F新品發(fā)布3500V高壓精密源表

導(dǎo)讀：

功率半導(dǎo)體器件(Power Semiconductor Device)是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉(zhuǎn)換和管理等，電壓處理范圍從幾十伏到幾千伏，電流能力*高可達(dá)幾千安培。聯(lián)訊儀器3500V 高壓源表S3030F 設(shè)計(jì)用于高壓電子和功率半導(dǎo)體器件的特性測試以及其他一些需要高壓和高精度測量的元器件和材料的表征。

1特點(diǎn)優(yōu)勢

S3030F能夠提供*大±3500V、±120mA（直流）、*大10 GΩ電阻測量范圍及*大180W 功率輸出, 廣泛地應(yīng)用在功率半導(dǎo)體特性，GaN、SiC表征，復(fù)合材料，高壓漏電流等測試和研究領(lǐng)域

1>高壓大功率

     ±3500V/±120mA（直流）/180W

2>高精度測量

    測量分辨率高達(dá)1fA/100uV

3>高速測量

  *高1M的ADC采樣率

4>支持超大電阻測量

   *大電阻測量范圍10GΩ

2高壓源表應(yīng)用舉例

1>SiC MOSFET 漏極截止電流測試 IDSS

IDSS: 當(dāng)在柵極和源極短路的情況下在漏極與源極之間施加指定電壓時(shí)產(chǎn)生的漏電流

SiC MOSFET IDSS測試：

短路柵極和源極，利用高壓源表在漏極和源極之間進(jìn)行電壓掃描，如上圖所示，源表設(shè)置掃描電壓從400V開始，按照200V的步進(jìn)掃描到1400V,電壓掃描的同時(shí)源表**測量IDSS

2> SiC MOSFET 漏源擊穿電壓測試 V(BR)DSS實(shí)物V (BR)DSS：漏-源擊穿電壓(破壞電壓),在柵極和源極短路的情況下, 流過漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓

SiC MOSFET V (BR)DSS 測試：在柵極和源極短路的情況下，利用高壓源表在漏極和源極之間進(jìn)行電流掃描，如上圖所示，利用List掃描功能，掃描電流源輸出20 uA，200 uA,1000 uA,5000 uA,10000 uA，掃描同時(shí)利用高壓源表測量VDS兩端電壓。